Empresas)| Crecimiento de Lingote Cristalino - Equipamiento producción lingotes/bloques |
| Nombre | Región | No. Empleados | Tipos de equipamiento | |
| 48th Research Institute | China | 1000 | Método de Czochralski asistido Magnéticamente... | |
| Abundance Electric Technology | China | 350 | Método de Czochralski | |
| ACME | China | Método de solidificación directa del silicio | ||
| ALD Vacuum Technologies | Alemania | 420 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Baojie Vacuum Technologies | China | Método de solidificación directa del silicio | ||
| Beijing Jingyi Century Electronics | China | Método de Czochralski, Método de Czochralski asistido Magnéticamente... | ||
| BMEI | China | Método de solidificación directa del silicio | ||
Centrotherm
|
Alemania | 1900 | Método de solidificación directa del silicio | |
| CETC-2 Research Institute | China | 800 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Chen Hua | China | 90 | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | |
| Chuanglian New Energy Equipment | China | 100 | Método de Czochralski | |
| Consarc | E.E.U.U | Método de solidificación directa del silicio | ||
| COWON SOLAR | Corea del Sur | 50 | Método de Czochralski | |
| Crystal Systems | E.E.U.U | Método de solidificación directa del silicio | ||
| Cyberstar | Francia | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | ||
| ECM | Francia | 200 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Ferrotec Corporation | Japón | 181 | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | |
| Fujian Rujing New Energy Equipment | China | 100 | Método de solidificación directa del silicio | |
| GigaMat | E.E.U.U | 5855 | Método de Czochralski | |
| GMTSolar | China | 200 | Método de Czochralski | |
| GT Adavanced Technologies | E.E.U.U | Método de solidificación directa del silicio | ||
| Han's PV | China | 100 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Hangxing Vacuum Equipment | China | Método de Czochralski | ||
| Hanhong Precision Machinery | China | 400 | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | |
| IZOTERM | Rusia | Método de Czochralski | ||
| Jiangyin Huaying Photovoltaic Technology Co., Ltd | China | Método de Czochralski | ||
| Jing long Sun Equipment | China | 320 | Método de Czochralski | |
| Jinggong Electromechanical | China | 1300 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Jingyang Automation | China | 130 | Método de Czochralski | |
| Jinjiang Nicetect Solar Power | China | 850 | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | |
| Jinnuo Mechanical | China | 568 | Método de la Zona Fundida | |
| Junhang High-Temperature Apparatus | China | 10 | Método de solidificación directa del silicio | |
| JYT Corporation | China | Método de Czochralski, Método de la Zona Fundida... | ||
| Kairi Energy
|
China | 128 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Kayex | E.E.U.U | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | ||
| Komatsu | Japón | 820 | Método de Czochralski | |
| Mitsubishi Materials Techno | Japón | 1212 | Método de Czochralski | |
| MTI Corporation | E.E.U.U | Método de Czochralski | ||
| Osung LST | Corea del Sur | Método de Czochralski | ||
| PASS | China | 100 | Método de Czochralski | |
| PCMP | Rusia | 1200 | Método de Czochralski | |
| ProPower | China | 260 | Método de solidificación directa del silicio | |
| PVA TePla | Alemania | 297 | Método de Czochralski, Método de la Zona Fundida | |
| QiKe Machinery Manufacture | China | Método de Czochralski | ||
| Roth & Rau | Alemania | 883 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Sevenstar Electronics | China | 300 | Método de Czochralski | |
| Sitech | China | 1200 | Método de Czochralski | |
| Solaicx | E.E.U.U | Método de Czochralski | ||
| Steremat Elektrowärme | Alemania | Método de la Zona Fundida | ||
| Sungjin Semitech | Corea del Sur | Método de Czochralski | ||
| Susungtech | Corea del Sur | 100 | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | |
| TESYS | Ucrania | Método de Czochralski | ||
| Tianlong Photoelectric | China | 180 | Método de Czochralski, Método de solidificación directa del silicio | |
| Wuxi Hui De Crystal Control | China | Método de Czochralski | ||
| XAUT Crystal Growing Technology | China | 412 | Método de Czochralski | |
| Xinhua Mechinery & Electrical Equipment | China | 368 | Método de Czochralski | |
| Yongtai Electric | China | 180 | Método de Czochralski | |
| Zhuzhou Shuangling Tech | China | 24 | Método de solidificación directa del silicio | |
| Equipamientode Producción Lingotes/Oblea/Células/Paneles |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Principal | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2005-2012 ENF Ltd. Todos los derechos reservados