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Sputtering ciblé - Procédé pour couche mince

             

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Nom

Région

Effectif

Type de matériel

Able Target

Chine

59

Sputtering ciblé

Academy Group

Etats-Unis

198

Sputtering ciblé

ACI Alloys

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Advanced Nano Products

Corée du Sud

Sputtering ciblé

Allied Advanced Materials

Chine

Sputtering ciblé

Alluter

Chine

Sputtering ciblé

American Elements

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Angstrom Sciences

Etats-Unis

35

Sputtering ciblé

APG Target Technology

Chine

Sputtering ciblé

Apphia Advanced Materials

Singapour

15

Sputtering ciblé

AT&M

Chine

2,000

Sputtering ciblé

Atlumin Energy

Etats-Unis

100

Sputtering ciblé

Avaluxe International

Allemagne

Sputtering ciblé

Beijing Hezongtianqi

Chine

Sputtering ciblé

Ceradyne

Etats-Unis

Sputtering ciblé

ChenFei Nonferrous

Chine

25

Sputtering ciblé

China New Metal

Chine

100

Sputtering ciblé

China Rare Metal

Chine

Sputtering ciblé

China Tin Group

Chine

11,000

Sputtering ciblé

CNMC (Ningxia) Orient Group

Chine

Sputtering ciblé

ESPI

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Feldco International

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Gemch

Chine

80

Sputtering ciblé

H.C. Starck

Etats-Unis

300

Sputtering ciblé

Heraeus

Allemagne

Sputtering ciblé

Hong Rui Xing

Chine

100

Sputtering ciblé

Indium Corporation

Etats-Unis

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Jinrui Rare Meta

Chine

Sputtering ciblé

Kessen Ceramics

Chine

Sputtering ciblé

Kojundo Chemical Laboratory

Japon

Sputtering ciblé

Leadmat Advanced Material

Chine

120

Sputtering ciblé

LHM

Chine

70

Sputtering ciblé

Luvata

Finlande

Sputtering ciblé

Materion Advanced Chemicals

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Mountain Technical

Chine

Sputtering ciblé

MTI Corporation

Etats-Unis

Sputtering ciblé

NV Bekaert

Belgique

Sputtering ciblé

Omat Sputtering

Chine

450

Sputtering ciblé

Oryx Advanced Materials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

OSAKA Titanium

Japon

561

Sputtering ciblé

Passion Tech

Chine

Sputtering ciblé

Pioneer Materials Chengdu

Chine

Sputtering ciblé

Plansee

Autriche

Sputtering ciblé

Plasmaterials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Praxair

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Process Materials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

ProTech Materials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Reade Advanced Materials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Remet

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Robeko

Allemagne

Sputtering ciblé

SCI Engineered Materials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Shanghai Shuosong

Chine

100

Sputtering ciblé

Sindlhauser Materials

Allemagne

Sputtering ciblé

Solar Applied Materials

Chine

Sputtering ciblé

Soleras

Etats-Unis

Sputtering ciblé

SongTian HongTai

Chine

100

Sputtering ciblé

Sujing Electronic Material

Chine

Sputtering ciblé

Targray Technology 

Canada

100

Sputtering ciblé

Testbourne

Grande Bretagne

Sputtering ciblé

Thintech Materials

Taïwan

200

Sputtering ciblé

TMTECH

Corée du Sud

Sputtering ciblé

Tosoh

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Tosoh Corporation

Japon

Sputtering ciblé

Umicore

Belgique

Sputtering ciblé

Wieland

Allemagne

Sputtering ciblé

Williams Advanced Materials

Etats-Unis

Sputtering ciblé

Yansheng Applied Materials

Chine

Sputtering ciblé

YEKE

Chine

800

Sputtering ciblé

ZNXC Tech

Chine

Sputtering ciblé

    
     
     

Matériaux Solaires

Principal
Procédés pour lingot/brique
Polysilicium(98) Polysilicium (producteurs à venir)(26) Recyclage de matériau(22)
Creuset(147) isolation feutre(63) Autre(3)
Procédés pour wafer
Lingot/Brique(306) Scie à ruban(12) Coulis(152)
Scie à fil(35) Monture adhésive pour lingot(16) Acide(43)
Procédés pour cellule
Wafer(336) Pâte de métallisation(56) Filtre pour impression sérigraphique(37)
Ammoniac(18) Alcool isopropylique(20) Oxychlorure de phosphore(12)
Silane(20) Acide(43) Hydroxyde(19)
Procédé pour panneau cristallin
Cellule(386) Ruban de Contact(82) Verre(110)
Film(137) Câble(117) Boîte de jonction(134)
Connecteur(132) Encadrement(82) Autre(95)
Procédé pour couche mince
Verre(110) Câble(117) Boîte de jonction(134)
Connecteur(132) Encadrement(82) Matériau TCO(4)
Sputtering ciblé(69) Film(90) Alumine(19)
Bore(14) Sulfure de cadmium(7) Cuivre(18)
Gallium(27) Germanium(29) Indium(48)
Molybdène(30) Oxychlorure de phosphore(12) Silane(20)
Tellure(31) Etain(8) Oxydes(18)
Acide(43) Autre(95)  

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