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Matériau TCO - Procédé pour couche mince

             

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Nom

Région

Effectif

Type de matériel

Linde

Allemagne

52,000

Zinc diéthylénique

NAA

Japon

Zinc diéthylénique

NFC

Corée du Sud

Zinc diéthylénique

TCLC

Japon

Zinc diéthylénique

    
     
     

Matériaux Solaires

Principal
Procédés pour lingot/brique
Polysilicium(98) Polysilicium (producteurs à venir)(26) Recyclage de matériau(22)
Creuset(147) isolation feutre(63) Autre(3)
Procédés pour wafer
Lingot/Brique(306) Scie à ruban(12) Coulis(152)
Scie à fil(35) Monture adhésive pour lingot(16) Acide(43)
Procédés pour cellule
Wafer(336) Pâte de métallisation(56) Filtre pour impression sérigraphique(37)
Ammoniac(18) Alcool isopropylique(20) Oxychlorure de phosphore(12)
Silane(20) Acide(43) Hydroxyde(19)
Procédé pour panneau cristallin
Cellule(386) Ruban de Contact(82) Verre(110)
Film(137) Câble(117) Boîte de jonction(134)
Connecteur(132) Encadrement(82) Autre(95)
Procédé pour couche mince
Verre(110) Câble(117) Boîte de jonction(134)
Connecteur(132) Encadrement(82) Matériau TCO(4)
Sputtering ciblé(69) Film(90) Alumine(19)
Bore(14) Sulfure de cadmium(7) Cuivre(18)
Gallium(27) Germanium(29) Indium(48)
Molybdène(30) Oxychlorure de phosphore(12) Silane(20)
Tellure(31) Etain(8) Oxydes(18)
Acide(43) Autre(95)  

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