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Polysilicium (producteurs à venir) - Procédés pour lingot/brique

Liens commerciaux

Nom

Région

Expected capacity
(Ton/year)

Expect producing
(year)

Type de matériel

Bhaskar Silicon

Inde

2011

Réacteur CVD Siemens modifié

CPI Mengdong Energy Group

Chine

6000

Chine

2500

Réacteur CVD Siemens modifié

ERDOS Polysilicon

Chine

1,000

2011

Réacteur CVD Siemens modifié

Italie

5000

Autre processus de polysilicium

Ferroatlantica SL

Espagne

Processus métallurgique

Chine

Processus métallurgique

Pays Bas

2011

Autre processus de polysilicium

Chine

5000

Réacteur CVD Siemens modifié

Huaxuan PV Technology

Chine

1000

2011

Iacharya Silicon

Inde

3000

Réacteur CVD Siemens modifié

Jingxin Technology

Chine

5000

Processus métallurgique

Corée du Sud

2011

Grande Bretagne

Luoyang Wannian

Chine

EAU

2500

2012

Peak Sun Silicon

Etats-Unis

Réacteur à lit fluidisé

Espagne

1500

Autre processus de polysilicium

Australie

10,000

2012

Réacteur CVD Siemens modifié

Italie

Processus métallurgique

Brésil

2011

Processus métallurgique

Shanxi San Jin Silicon

Chine

6,000

2012

Réacteur CVD Siemens modifié

Chine

1000

Tangshan Silicon

Chine

5000

2012

Réacteur à lit fluidisé

Top Green Energy

Taïwan

Réacteur CVD Siemens modifié

Chine

2011


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Matériaux Solaires

Procédés pour lingot/brique

Polysilicium(98)	Polysilicium (producteurs à venir)(26)	Recyclage de matériau(22)
Creuset(147)	isolation feutre(63)	Autre(3)

Procédés pour wafer

Lingot/Brique(306)	Scie à ruban(12)	Coulis(152)
Scie à fil(35)	Monture adhésive pour lingot(16)	Acide(43)

Procédés pour cellule

Wafer(336)	Pâte de métallisation(56)	Filtre pour impression sérigraphique(37)
Ammoniac(18)	Alcool isopropylique(20)	Oxychlorure de phosphore(12)
Silane(20)	Acide(43)	Hydroxyde(19)

Procédé pour panneau cristallin

Cellule(386)	Ruban de Contact(82)	Verre(110)
Film(137)	Câble(117)	Boîte de jonction(134)
Connecteur(132)	Encadrement(82)	Autre(95)

Procédé pour couche mince

Verre(110)	Câble(117)	Boîte de jonction(134)
Connecteur(132)	Encadrement(82)	Matériau TCO(4)
Sputtering ciblé(69)	Film(90)	Alumine(19)
Bore(14)	Sulfure de cadmium(7)	Cuivre(18)
Gallium(27)	Germanium(29)	Indium(48)
Molybdène(30)	Oxychlorure de phosphore(12)	Silane(20)
Tellure(31)	Etain(8)	Oxydes(18)
Acide(43)	Autre(95)

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